光电导效应相关论文
YBa2Cu3O7-δ是一种变形钙钛矿结构的高温超导氧化物（Tc≈90 K,δ=0～0.2）。室温常态（金属态）下,材料晶体中导电的Cu O2层和弱导电层（Ba O......
硫族半导体具有独特的能带结构和物理化学性质,在光伏电池、非线性光学、光催化等领域具有广泛的应用。通过调整多元硫属化合物的......
石墨烯光电探测器具有兼容性好和宽波段响应等优势,其读出电路可类似于微测辐射热计等传统探测器.然而,石墨烯光电探测器一般属于......
目前制备Cu2ZnSnSe4薄膜太阳能电池主要采用磁控溅射或热蒸发技术，需要昂贵的设备和高真空环境，大大提高了太阳能电池的成本。因此，我......
利用BSO晶体的电光效应和光电导效应实现了光强的非线性调制,在0～25mW Ar~ 激光入射情况下得到了类似于饱和吸收体的非线性透过率。......
基于表面等离子体的硅基集成光电探测器因具有THz带宽潜力而受到广泛关注.本文基于简化的两步光刻工艺实现表面等离子体狭缝波导与......
从实验上和理论上对光折变晶体Bi_(12)SiO_(20)的电光效应和光电导效应进行了系统的研究,并进一步探讨了这两种效应中出现的非稳振......
通过测量ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器电阻与温度的关系及激光辐照下电阻随时间的变化，建立了热模型，计算了三种损伤机制下的激光损伤阈值。
By measuri......
本文在吴祥应等人(1997)求解半导体中光生载流子分布的基础上,应用时域有限差分(FDTD)法对光控矩形介质波导的传播特性进行分析,并......
光学信息处理系统光波荷载的信息．这些信息用光波的某一参数的空间分布来表征，在信息处理中，信号源（信源）和信号处理系统往往是两个独立......
报道了对光辐照YBa_2Cu_3O_6.92材料的正电子寿命谱研究结果，给出了正电子寿命参数随辐照时间变化的基本特征，利用两态捕获模型对实......
光敏电阻是根据半导体的光电导效应制成的。它所用的材料主要有:硒、硫化镉、硫化铝、硫化铋、硒化镉、硒化锌、砷化镓、硅等。其......
由于信息时代的来临,人们在人工智能、大数据以及物联网等领域急需更高性能、更低能耗的计算系统,而传统的冯·诺依曼体系架构在信......
利用脉冲激光沉积法成功制备了BaTiO3/p-Si异质结,该异质结在80—300K显示出了良好的整流特性和光诱导特性.开启电压随着温度的升......
什么是半导体材料物质存在的形式多种多样,有固体、液体、气体等.我们通常把导电性和导热性差或不好的材料,如金刚石、人工晶体、......
本文提出并演示了一种由可用光写入或擦去的二维光折射率图形构成的新型光波导器件。这种可程序光波导器件综合利用硅酸铋的三种物......
一、加锰盐的制作工艺本工艺的目的是制取特性改良的硫化铅光电导元件,并使其具有均匀的灵敏度,与过去的工艺相比,灵敏度至少增加......
一、前言众所周知,锑化铟(InSb)是一种直接的小禁带宽度半导体。其禁带宽度在室温下为0.17电子伏,当用液氮冷却时,可展宽到0.23电......
引言众所周知,任何物质,只要温度不是绝对零度,都能发射红外辐射。红外辐射是指波长在0.76～1000微米的热辐射,远红外一般是指波长......
前言在极远紫外和长波红外之间,波长(0.01—1000微米)分五个数量级。由于光子能量与波长成反比,所以光子能量也有相应的五个数量......
本文研究了非晶态半导体多层膜a-St:H/a-SiN_x:H结构在低温下(150～250K)的持续光电导效应(PPC),实验表明PPC效应强烈地依赖于曝光时......
提出了一种汽相生长GaAs/Ga_xIn_(1_x)As/GaAs的方法,当x≈0.85,顶层GaAs厚度为0.1～0.2μm时,迁移率仍然可达2000～3000cm~2/V·s,外......
本文研究了As-Se非晶态半导体光电导与光强的关系,及光电导瞬态过程.发现瞬态光电导具有前冲、峰值;并且σ_(?)与G的关系有非线性......
本文采用光电导光谱分布法和红外光弹法初步研究了硅晶体中禁带宽度与应力的关系。对数块硅晶体进行不同条件的热处理,测试了禁带......
本文介绍用直流磁控S枪在H_2/Ar混合气体中反应溅射单晶硅靶淀积a-Si:H光电导薄膜的制备工艺。研究了用这种技术制备的a-Si:H薄膜......
近几年来,人们在聚合物中观察到了光折变效应。与无机材料相比,聚合物材料具有较大的电光响应、高的破坏阈值和低的介电常数,并且......
光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器,具有反应快、精度高、非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多......
(四)热释电型红外线传感器这种传感器的基本原理是热释电效应。在一些晶体中,当其受热时,在晶体两端产生数量相等,符号相反的电荷......
1.前言自古以来,一切技术都是以机械技术为基础而发展起来的。就是现代的电子、信息、控制等技术也都如此。
1. Foreword Since ......
本文报道了利用半导体材料和器件光电导效应研制成功的一种新型成象检测系统——光电显微镜.并用该显微镜对几种MOS功率管和TTL集......
光敏器件是一种应用范围相当广的敏感元件。光是既有波动性又有微粒性的一种物质。光的粒子性表现在光电效应上,当一个光子射入到......
本文提出了用光学混合技术测定光电导材料输运参量的新方法。He～Ne激光的多纵模在n型GaAs样品上的混合,可获得该样品的光电流和三倍......
本文通过对荣华二采区10...
作为红外模拟系统的关键部件，可见光-红外图像转换器的性能尤其重要。为了实现器件的高帧频、高对比，本文对基于半导体材料砷化镓（GaA......
本研究首先利用氧化铝膜板辅助电化学沉积法成功合成了直径为200nm,长度为4~5μm的CdSe纳米线。通过透射电子显微技术(TEM)和X射线......
该文研究的是THz辐射脉冲的发生与检测.主要包括了以下几个方面的工作：（1）介绍了产生THz辐射脉冲的两种方法：光电导方法和光整流方法,......
钙钛矿结构掺杂锰氧化物由于其丰富的物性和潜在的应用前景一直倍受关注。由于锰氧化物中电荷、轨道、自旋、晶格等自由度的相互作......
窄禁带半导体具有小于0.5eV的禁带宽度而在红外探测器件等方面具有很重要的应用价值，同时窄禁带的能带结构也使得其在物理研究等方......
紫外光敏材料硅酸铋(BSO)在短波长的蓝紫光激励下电阻率会急剧降低,可作为良好的光信息写入材料,用作光寻址的液晶空间光调制器(LC......
用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜,在真空和Ar气中热退火2 h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜.发现Fe/Si多层膜在880℃温度......
【正】 静电摄影,是近几十年来新开发的技术之一。尤其最近十多年来,一些技术先进国家已将其在复印技术、印刷、光学、无线电电子......
介绍了一种可用于风速风向测量的光点位置检测传感器的结构、特点、工作原理,给出了传感器的理论模型,分析了传感器测量分辨率和灵......
